半导体晶圆缺陷检验
分析各个晶圆层上的缺陷及其异常
半导体晶圆包含多个层。每一层都要执行一个复杂且精确的流程,包括沉积材料、涂抗蚀剂、光刻、蚀刻,以及离子注入,然后除去抗蚀剂。
在涂另一层前,必须先检测新蚀刻和注入的层是否有缺陷。晶圆层可能会有划痕、旋转缺陷、曝光问题、颗粒污染、热点、晶圆边缘缺陷,以及影响最终芯片性能的各种其他缺陷。
如果在层沉积后未及时探测到缺陷,则此类缺陷只能在最终测试时探测到,导致产量损失。即使它们通过了最终的电子测试,未探测到的缺陷会降低使用可靠性,导致过早出现故障。 可能出现的缺陷范围非常大,而且缺陷可能在晶圆上的任何地方。所有缺陷都要在之前沉积层的复杂背景下进行检测。传统机器视觉无法通过编程探测范围这么大的缺陷,甚至即使是探测编程的缺陷,复杂背景也会使其变得不可靠。
复杂缺陷探测问题的理想解决方案。缺陷探测工具使用合格晶圆层的少量图像学习无缺陷晶圆层的外观。然后该工具即可探测晶圆层任意位置上的即使是很小的缺陷并将其判为不合格,而且完全不受下层的影响。
晶圆和晶片校准
准确地对准晶圆和晶片,确保可靠的性能
光刻工艺、晶圆探测和测试,还是晶圆安装和切割过程中,视觉对准不良都会在机器的整个使用寿命期间造成数以千计的协助和损坏的晶圆。表现不佳的视觉系统会降低半导体设备公司的市场份额,并大大增加其支持成本。
晶圆检测、探测、安装、切割和测试设备提供稳定、准确且快速的晶圆和晶片图案定位,以帮助避免这些问题。专利的几何图案发现算法来定位和对齐可变晶圆和晶粒图案。它能以非常高的精度和可重复性对准晶圆和晶片,确保整个半导体制造流程中设备性能的可靠性。借助康耐视技术的帮助,OEM 能够优化设备的整体性能,从而提高质量和产量。
晶圆切口检测
在狭窄的空间内保持半导体晶圆的精确对准
晶圆制造过程中,了解半导体晶圆的位置和朝向非常关键。各个步骤是通过监测晶圆上的切口了解晶圆朝向的。因为晶圆成本在 $5,000 到超过 $100,000 之间,制造过程中的任何未对准都会造成严重且不可修复的缺陷,导致晶圆报废。
寻找缺口的传统方法是使用通光束阵列激光传感器,这需要在晶圆上方和下方安装笨重的发射器和接收器。这会占用宝贵的机械空间,并且因为需要晶圆一直旋转到发现切口,所以会浪费时间。随着透明晶圆 (SiC) 和其他特殊晶圆涂层的推出,通光束传感器变得更难准确地找到切口,提高了未对准的几率。
视觉系统能够准确地识别晶圆切口和 XY 位置,精度高达 0.025 像素。视觉算法能够准确地探测任意朝向的晶圆切口,然后将位置和尺寸数据传输回装配机器人或 PLC。此外,视觉系统超小的外形设计可满足极狭窄的空间限制,无需再在晶圆上下方安装激光光学传感器。

如果制造商无法在较远的工作距离上安装镜头,还可提供专利的低高度光学系统来查看整个晶圆。